Дополнительная информация о статье
"Динамика генерации свободных носителей в кремнии под действием ультракоротких интенсивных терагерцевых импульсов"

Дополнительная информация (TXT)

Пристатейные ссылки (BIB)

Метаданные в формате JATS на русском языке (XML)

DOI
https://doi.org/10.33849/2022212

НАЗВАНИЕ СТАТЬИ
Динамика генерации свободных носителей в кремнии под действием ультракоротких интенсивных терагерцевых импульсов

СПИСОК АВТОРОВ
Овчинников А.В., Чефонов О.В.

СПИСОК АВТОРОВ (С РАСШИФРОВКОЙ)
Овчинников Андрей Владимирович, Чефонов Олег Владимирович

ТОМ 8

ГОД 2022

СТРАНИЦЫ 64-67

КОДЫ КЛАССИФИКАТОРОВ
УДК 535-15, 537.9, 538.9

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА
фемтосекундные лазерные импульсы, терагерцевые импульсы, оптическое выпрямление, кремний, Оже-рекомбинация

АННОТАЦИЯ
Представлены результаты экспериментов по генерации свободных носителей заряда в легированном образце кремния р-типа толщиной 235~мкм при воздействии импульсов терагерцевого излучения с максимальной напряженностью электрического поля 22~МВ/см. \mbox{Исследования} проводились методом “накачка--зондирование”, в котором терагерцевые импульсы использовались в качестве накачки, а цуг фемтосекундных лазерных импульсов с длиной волны излучения 1240~нм, следующих с частотой 73~МГц~--- в качестве зондирующего излучения.

TITLE
Generation dynamics of free carriers in silicon induced by ultrashort intense terahertz pulses

AUTHORS
Овчинников А.В., Чефонов О.В.

KEYWORDS
femtosecond laser pulses, terahertz pulses, optical rectification, silicon, Auger recombination

ABSTRACT
The results of experiments on the generation of free charge carriers in a doped p-type silicon sample with a thickness of 235~$\mu$m induced by terahertz radiation pulses with a maximum electric field strength of 22~MV/cm are presented. The studies were carried out by the "pump-probe" method, in which terahertz pulses were used as pumping, and a train of femtosecond laser pulses with a wavelength of 1240~nm, following at a frequency of 73~MHz, as probing radiation.