Представлены результаты экспериментов по генерации свободных носителей заряда в легированном образце кремния р-типа толщиной 235~мкм при воздействии импульсов терагерцевого излучения с максимальной напряженностью электрического поля 22~МВ/см. \mbox{Исследования} проводились методом “накачка--зондирование”, в котором терагерцевые импульсы использовались в качестве накачки, а цуг фемтосекундных лазерных импульсов с длиной волны излучения 1240~нм, следующих с частотой 73~МГц~--- в качестве зондирующего излучения.

The results of experiments on the generation of free charge carriers in a doped p-type silicon sample with a thickness of 235~$\mu$m induced by terahertz radiation pulses with a maximum electric field strength of 22~MV/cm are presented. The studies were carried out by the "pump-probe" method, in which terahertz pulses were used as pumping, and a train of femtosecond laser pulses with a wavelength of 1240~nm, following at a frequency of 73~MHz, as probing radiation.