НАЗВАНИЕ СТАТЬИ:
Динамика генерации свободных носителей в кремнии под действием ультракоротких интенсивных терагерцевых импульсов

СПИСОК АВТОРОВ:
Овчинников А.В., Чефонов О.В.

DOI:
https://doi.org/10.33849/2022212

ПОСТУПИЛА В РЕДАКЦИЮ:
2 декабря 2022 г.

ЖУРНАЛ:
Вестник Объединенного института высоких температур

ТОМ:
8

ГОД:
2022

СТРАНИЦЫ:
64-67

РУБРИКА:
Методы экспериментальных исследований и измерений

КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА:
фемтосекундные лазерные импульсы, терагерцевые импульсы, оптическое выпрямление, кремний, Оже-рекомбинация

КОДЫ КЛАССИФИКАТОРОВ:
УДК 535-15, 537.9, 538.9

АННОТАЦИЯ:
Представлены результаты экспериментов по генерации свободных носителей заряда в легированном образце кремния р-типа толщиной 235~мкм при воздействии импульсов терагерцевого излучения с максимальной напряженностью электрического поля 22~МВ/см.  mbox{Исследования} проводились методом “накачка--зондирование”, в котором терагерцевые импульсы использовались в качестве накачки, а цуг фемтосекундных лазерных импульсов с длиной волны излучения 1240~нм, следующих с частотой 73~МГц~--- в качестве зондирующего излучения.

TITLE:
Generation dynamics of free carriers in silicon induced by ultrashort intense terahertz pulses

AUTHORS:
Ovchinnikov A.V., Chefonov O.V.

KEYWORDS:
femtosecond laser pulses, terahertz pulses, optical rectification, silicon, Auger recombination

ABSTRACT:
The results of experiments on the generation of free charge carriers in a doped p-type silicon sample with a thickness of 235~$\mu$m induced by terahertz radiation pulses with a maximum electric field strength of 22~MV/cm are presented.
The studies were carried out by the "pump-probe" method, in which terahertz pulses were used as pumping, and a train of femtosecond laser pulses with a wavelength of 1240~nm, following at a frequency of 73~MHz, as probing radiation.